法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/367 专利申请号:2020113480089 申请日:20201126
实质审查的生效
机译: 在基板之间具有电连接或高度变化的堆叠式半导体封装件以及包括该堆叠式半导体封装件的半导体器件
机译: 半导体封装件的制造方法,该半导体封装件具有安装在磁控管上的半导体器件和用于连接电极和图案的细长开口。
机译: 用于制造半导体封装件的方法,该半导体封装件具有附接到多层基板上的半导体器件