一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结的方法

摘要

本发明公开了一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结阵列的方法，是通过以下工艺过程实现的：用两步化学气相沉积(CVD)方法来制备，第一步，在CVD管式炉中，用无水三氯化铝(AlCl₃)作为铝(Al)源，通入氨气(NH₃)作为氮(N)源，反应后得到白色片状独立自支撑的AlN纳米棒阵列；第二步，在白色片状AlN纳米棒阵列上镀金(Au)作为催化剂，在CVD管式炉中，用金属镓(Ga)和NH₃作为反应源在AlN纳米棒阵列上生长GaN的异质结。本发明所制备材料为氮化铝和氮化镓纳米棒阵列，其特点是：在微观上为纳米棒异质结阵列，在宏观上为独立、自支撑的白色薄片。