公开/公告号CN112992950A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 华虹半导体(无锡)有限公司;
申请/专利号CN202110160065.2
申请日2021-02-05
分类号H01L27/146(20060101);H01L21/762(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人栾美洁
地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
入库时间 2023-06-19 11:27:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-07-14
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/146 专利申请号:2021101600652 申请公布日:20210618
发明专利申请公布后的驳回
机译: 高深宽比微结构及其制造方法以及高深宽比微结构阵列及其制造方法
机译: 单环高深宽比钛电感耦合等离子体深蚀刻工艺及其产品
机译: 单环高深宽比钛电感耦合等离子体深蚀刻工艺及其产品