一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法

摘要

本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法。所述垂直结构的氮化镓太赫兹二极管包括：相对设置第一表面和第二表面的金刚石层；N+掺杂层，生长在所述金刚石层的第一表面上；N‑掺杂层，设于所述N+掺杂层上；阳极，设于所述N‑掺杂层上，并与所述金刚石层的第一表面形成空气桥；阴极，设置在所述金刚石层的第一表面或第二表面，并借助贯穿所述金刚石层的第一表面和第二表面的金属介质与所述N+掺杂层的下表面电连接。本发明提供的氮化镓太赫兹二极管，通过在金刚石层上设置垂直结构的N+掺杂层和N‑掺杂层，且通过金属介质实现阴极与N+掺杂层和N‑掺杂层的连接，不仅降低器件寄生电阻，而且散热良好。