一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法

摘要

本发明属于存储材料制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法。本发明方法包括：硬掩膜制作、倾斜刻蚀、金属黑化修正侧壁以及湿法腐蚀清洗。与传统的直接利用干法刻蚀铌酸锂图形不同，本方法将干法刻蚀与湿法刻蚀相结合，不仅能够获得刻蚀角度陡直、侧壁光滑的铌酸锂图形，而且刻蚀效率也极高，同时可对铌酸锂图形进行后期修正。本发明方法对基于铌酸锂材料的纳米加工具有极大意义，并且不会破坏材料的铁电特性。