机译:GaAs湿法刻蚀过程中使用UV LED控制侧壁角度
机译:GaAs湿法刻蚀过程中使用UV LED控制侧壁角度
机译:通过结合湿法化学蚀刻工艺,提高纳秒级激光钻孔深硅通孔的侧壁质量
机译:侧壁钝化在二维GaAs光子晶体BCl_3 / N_2电感耦合等离子体刻蚀中的作用
机译:利用掩模3D形貌改善22nm节点ArF光刻性能:可控侧壁角 r n利用掩模3D形貌改善22nm节点ArF光刻性能:可控侧壁角
机译:以可控制的侧壁角度蚀刻二氧化硅
机译:聚合物/富勒烯共混膜的选择性湿蚀刻用于表面和纳米形态控制的有机晶体管和灵敏度增强的气体传感器
机译:以可控制的侧壁角度蚀刻二氧化硅
机译:有角氯离子束辅助蚀刻制备Gaas纳米级柱