The University of Arizona;
机译:GaAs湿法刻蚀过程中使用UV LED控制侧壁角度
机译:在CHF3等离子体中进行SiO2蚀刻期间,侧壁和底部蚀刻速率之间的交互关系(受侧壁角度影响)
机译:在常规反应离子刻蚀工具中使用SF_6 / O_2等离子刻蚀控制硅过孔的侧壁斜率
机译:以可控制的侧壁角度在SiO / sub 2 /中蚀刻通孔
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:侧壁转移金属辅助化学蚀刻法制备超高纵横比( 420:1)Al2O3纳米管阵列
机译:以可控制的侧壁角度蚀刻二氧化硅