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一种QFN器件的制备方法及QFN器件

摘要

本发明提出了一种QFN器件制备方法及QFN器件,所述QFN器件包括芯片基底,芯片基底包括至少一个第一引脚和围绕着第一引脚的若干第二引脚,以及围绕全部第二引脚布置的且与各个第二引脚一一相接的若干第一孔;装配在芯片基底区内的芯片,其覆盖和连通第一引脚,并通过键合线连接第二引脚;塑封体,其用于将芯片塑封在芯片基底上并暴露第一引脚和第二引脚;一个平坦锡层和若干弯折锡层,平坦锡层形成在第一引脚的底面上,若干弯折锡层逐一形成在第二引脚上,每个弯折锡层都包括覆盖第二引脚的底面的底部区域及覆盖第二引脚的位于第一孔内的侧面的侧部区域。本发明的QFN器件的引脚侧面电镀有锡层,提高了器件与PCB板的焊接强度,从而提高了器件的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN112713090A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 珠海格力电器股份有限公司;

    申请/专利号CN201911019801.1

  • 发明设计人 马浩华;敖利波;史波;曹俊;

    申请日2019-10-24

  • 分类号H01L21/48(20060101);H01L21/78(20060101);H01L23/31(20060101);H01L23/495(20060101);

  • 代理机构11372 北京聿宏知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴大建;何娇

  • 地址 519000 广东省珠海市前山金鸡西路

  • 入库时间 2023-06-19 10:44:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-24

    授权

    发明专利权授予

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