公开/公告号CN110049634A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第二十九研究所;
申请/专利号CN201910379548.4
申请日2019-05-08
分类号H05K3/34(20060101);
代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;
代理人夏琴;钱成岑
地址 610036 四川省成都市金牛区营康西路496号
入库时间 2024-02-19 12:27:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-09
授权
授权
2019-08-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H05K3/34 申请日:20190508
实质审查的生效
2019-07-23
公开
公开
机译: 具有细的线间距和细的端到端间隔的半导体器件结构的形成方法
机译: QFN器件具有一种机制,该机制使得在连接到PWB时出现无法检测的焊点和制造方法
机译: 使用相同的制造相变存储器件形成相变材料层的原子层沉积工艺方法形成基于硫属化物的薄膜的方法。