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一种亚阈值电压基准电路

摘要

本发明公开了一种亚阈值电压基准电路,包括:3T亚阈值基准电压电路和自偏置衬底调制NMOS电路,3T亚阈值基准电压电路包括本征NMOS管和与本征NMOS管连接的自偏置共源共栅电路;本征NMOS管和电源电压连接;自偏置共源共栅电路和本征NMOS管均与自偏置衬底调制NMOS电路连接;自偏置衬底调制NMOS电路接地。该亚阈值电压基准电路通过增加自偏置衬底调制NMOS电路和将传统的2T亚阈值基准电压电路中自偏置NMOS管改为自偏共源共栅电路的方式来减小输出参考电压受温度的影响,同时降低电路的功耗。

著录项

  • 公开/公告号CN112650351A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京中科芯蕊科技有限公司;

    申请/专利号CN202011518921.9

  • 发明设计人 胡晓宇;袁甲;于增辉;凌康;

    申请日2020-12-21

  • 分类号G05F1/625(20060101);

  • 代理机构11569 北京高沃律师事务所;

  • 代理人王爱涛

  • 地址 100092 北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼4层4单元403-1

  • 入库时间 2023-06-19 10:35:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-24

    授权

    发明专利权授予

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