一种具有寄生二极管的MOS栅控晶闸管及其制造方法

摘要

本发明涉及功率半导体技术领域，具体的说是适用于脉冲功率领域的一种具有寄生二极管的MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明主要通过改进常规MOS栅控晶闸管的器件结构，在栅极与阴极之间引入寄生二极管，避免了MOS栅控晶闸管应用于脉冲功率领域时因栅介质击穿导致脉冲系统发生失效，以及静电放电时因栅介质击穿导致器件失效的问题。