首页> 中国专利> 具有非晶半绝缘沟道控制层的晶体管部件

具有非晶半绝缘沟道控制层的晶体管部件

摘要

本发明涉及具有非晶半绝缘沟道控制层的晶体管部件。公开一种具有控制结构的晶体管部件,该控制结构具有在电流流动方向上沿沟道区延伸的非晶半绝缘材料沟道控制层。

著录项

  • 公开/公告号CN101931006B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技奥地利有限公司;

    申请/专利号CN201010207331.4

  • 发明设计人 G·施米特;

    申请日2010-06-17

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人李娜

  • 地址 奥地利菲拉赫

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-13

    授权

    授权

  • 2011-02-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20100617

    实质审查的生效

  • 2010-12-29

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号