氮化物半导体的晶体生长方法和半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物半导体层的形成方法，其包括步骤(S1)，其将至少在上面具有m面氮化物半导体晶体的基板配置于MOCVD装置的反应室内；升温步骤(S2)，其加热反应室内的基板，使基板的温度上升；和生长步骤(S3)，其在基板上使氮化物半导体层生长。在升温步骤(S2)中，向反应室内提供氮原料气体和III族元素原料气体，可以形成即使厚度为400nm也具有平滑的表面的m面氮化物半导体晶体，也可以大幅缩短其形成时间。