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公开/公告号CN112233973A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-15
原文格式PDF
申请/专利权人 南方科技大学;
申请/专利号CN202011004830.3
发明设计人 罗光富;刘凯;
申请日2020-09-22
分类号H01L21/22(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构44325 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙);
代理人谭果林
地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
入库时间 2023-06-19 09:33:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-22
授权
发明专利权授予
机译: 用于宽禁带半导体功率器件的原位掺杂半导体门电极的系统和方法
机译:Mn掺杂ZnO中增强的铁磁特性:一种有前途的稀释磁性半导体
机译:双材料栅极方法抑制16 nm金属氧化物半导体场效应晶体管器件中的随机掺杂引起的特性波动
机译:一种提高硫化物半导体光催化剂稳定性的有效方法:以N掺杂ZnS为例
机译:一种确定高电阻半导体材料缺陷中心谱图像的新方法
机译:阴极发光研究宽禁带半导体的光学特性
机译:钙离子掺杂对太阳能电池钙钛矿晶化速度和光吸收层半导体特性的调控表面形貌
机译:一种基于分栅配置的半导体量子线晶体管电容 - 电压特性的新型自洽计算方法
机译:一种确定非化学计量材料缺陷结构的新方法