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王存达; 曾志斌; 张国义; 沈君; 朱传云;
天津大学应用物理学系;
北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室;
半导体二极管; 正向电特性; 串联模式; 界面层; 负电容; 精确检测;
机译:一种正向偏压下半导体二极管电学表征的新方法
机译:金属铁电半导体(Au / SrTiO_3 / n-Si)室温下的正向和反向偏置电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性
机译:Au / TiO2 / n-4H-SiC(金属-绝缘体-半导体)型肖特基势垒二极管的电和介电特性的频率和电压依赖性
机译:高电流密度下Ni / 6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)正向特性的精确建模
机译:高功率发光二极管和激光二极管的全面电/光/热特性
机译:CS算法:脑电中高频振荡检测的一种新方法
机译:Pt / HfO2 / n-GaN金属-绝缘体-半导体(MIS)肖特基二极管的温度依赖性电特性
机译:用于2-4微米二极管激光器的Gasb基半导体的电特性
机译:一种模拟半导体器件的电特性的方法和一种用于模拟半导体器件的电特性的输入数据生成设备
机译:低正向欧姆值半导体装置-具有整流特性,可用于代替通信系统中的大面积二极管
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