半导体二极管正向电特性的检测

摘要

在该文中,我们对传统的半导体二极管电特性的检测方法—电容-电压(C-V)和电流-电压(I-V)方法进行了详尽的讨论,重点分析了它们的不足和局限性.我们分别采用并联和串联两种模式细致地分析了各种条件下半导体二极管的正向交流特性,指出正向交流特性实部分量和虚部分量总是紧密相连的,因此必须同时测量,一并求解.我们对并联和串联两种分析模式进行了比较.指出了不同模式在不同条件下的优势和劣势.我们在并联模式和串联模式下,分别测量了半导体二极管在不同频率下的表观电导和表观电阻,通过观察其是否受到频率变化的影响来判断器件内是否有界面层存在.若表观电导或表观电阻随频率明显变化,则存在界面层,反之则不存在.我们在测量半导体二极管正向偏压下的电容-电压曲线时发现,在肖特基二极管和p-n结二极管都存在着显著的负电容现象,通常频率越低,负电容效果越强烈.综上所述,该文提出了测量半导体二极管电特性的新方法.

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第一章绪论

第二章半导体二极管的发展及分类

2.1半导体二极管的发展概况

2.2半导体二极管的分类

第三章半导体二极管材料的制备工艺

3.1晶体外延技术

3.2其它制备方法

第四章测量半导体二极管的传统方法

4.1传统的C-V测量方法

4.2传统的I-V测量方法

第五章正向偏压下交流信号的分析和测量方法

5.1半导体二极管正向电压下的电参数

5.2并联模式

5.3串联模式

5.4并联模式和串联模式的比较

5.5二极管参数的实际求解

第六章实验结果与分析

6.1实验样品的制备

6.2并联模式实部的测量结果

6.3串联模式实部的测量结果

6.4并联模式虚部的测量结果

6.5串联模式虚部的测量结果

6.6对实验结果的讨论

第七章结论

参考文献

攻读硕士学位期间完成的学术论文

致谢