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张锦涛; 赵少云; 韦文生; 郑君鼎; 何明昌;
温州大学数理与电子信息工程学院 浙江温州 325035;
(p)SiC/(n)GaN异质结构; 载流子传导; 电容-电压特征; 电流-电压特征; 模拟;
机译:来自正向和反向偏置的N-ZnO膜/ P-GaN异质结的紫外线电致发光
机译:正向和反向偏置下n-ZnO / p-GaN异质结的电致发光
机译:GaN-AlN-(4H)SiC异质结构光触发垂直功率半导体器件的原子和电学模拟
机译:衬底偏置效应在AlGaN / GaN掺杂通道异质结构场效应晶体管在掺杂SiC基板上生长
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:使用不同偏置条件对AlGaN / GaN异质结构氢气传感器的稳定性和功耗的研究
机译:GaN异质结构场效应晶体管结构中的电荷移动,在施加衬底偏置的情况下,碳掺杂的缓冲液
机译:alN,GaN和选择的siC多型组合的假晶半导体异质结构:理论进展及其与成核,生长,表征和器件开发实验研究的协调
机译:用半导体设备及其制造方式形成的高电阻半导体结构没有将SiC或GaN作为GaN系统使用或将SiC no Mali off
机译:具有改善的弹性偏置稳态接触和相关桥式接触结构的正向开关
机译:SiC JFET逻辑输出电平转换,采用集成系列正向偏置JFET栅极至沟道二极管结
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