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可减小由电容边缘效应导致的电容-位移之间的非线性的栅结构

摘要

本发明公开了一种可减小由电容边缘效应导致的电容‑位移之间的非线性的栅结构,所述的栅结构的两个侧面与靠近金属电极的底面形成的夹角小于90°。本发明通过对微机械陀螺仪中的栅结构形状进行改进,将栅结构的两个垂直侧面优化为与底面形成夹角,可有效减小由电容边缘效应导致的电容‑位移之间的非线性。

著录项

  • 公开/公告号CN112129278A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN202010969373.5

  • 发明设计人 郑旭东;王雪同;吴海斌;金仲和;

    申请日2020-09-15

  • 分类号G01C19/5719(20120101);G01C19/5733(20120101);G01C19/5769(20120101);B81B7/02(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人万尾甜;韩介梅

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2023-06-19 09:18:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-19

    授权

    发明专利权授予

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