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公开/公告号CN111876805A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-03
原文格式PDF
申请/专利权人 波音公司;
申请/专利号CN202010757612.0
发明设计人 T·A·伍德罗;J·A·尼耳森;
申请日2014-04-29
分类号C25D3/60(20060101);C25D17/00(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人董志勇
地址 美国伊利诺伊州
入库时间 2023-06-19 08:47:24
机译: 通过用锗掺杂锡来减轻锡和镀锡表面上锡晶须生长的方法和装置
机译: 通过用金掺杂锡来减轻锡和镀锡表面上锡晶须生长的方法和设备
机译: 通过将锡与锗掺杂来缓解锡和锡表面上锡晶须生长的方法和装置
机译:原位镓掺杂形成p〜+锗锡及其在锗锡p-i-n光电探测器中的应用
机译:亚锡磷路易斯对与锗,锡和铅的二氯化物的反应-形成碱稳定的亚锡烷基亚锡/亚甲基萘以及与PbCl2的氧化还原反应
机译:掺锡的锡-铅共晶掺杂锡晶须生长
机译:检测镀锡和减轻锡须
机译:通过有效掺杂的电镀锡涂层中锡晶须的减轻:表面和地下的作用
机译:晶体结构中涉及锗和锡的紧密接触:锡铁键的实验证据
机译:等离子体辅助热蒸发法共蒸镀锡和锑的锑掺杂氧化锡薄膜的制备与表征
机译:使用四乙基锡通过mOCVD生长的Insb的锡掺杂。