一种基于LPCVD的高效掺杂非晶硅技术的交叉指式背接触异质结太阳电池

摘要

本发明提供一种基于LPCVD的高效掺杂非晶硅技术的交叉指式背接触异质结太阳电池，包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的前表面包括至少一种钝化层；所述晶硅衬底的背表面从内到外分别包括隧穿氧化层、交替排列的n+掺杂非晶硅层/p+掺杂非晶硅层、激光开槽区、钝化层和金属电极。本发明采用背接触方式和异质结方式结合的电池结构，优化了掺杂非晶硅生长方式，在保留IBC高短路电流的特点下，提高太阳电池钝化能力和接触能力，同时有效地降低了制造成本。经验证，采用本发明的结构的量产化HBC电池效率达到25％以上的转换效率，开路电压达到710mV以上，高于目前主流异质结或TOPCon技术23.5％的量产转换效率。