N型背接触异质结太阳电池背面结构参数优化

摘要

利用Silvaco-TCAD软件对N型HIBC晶硅太阳电池的输出特性进行模拟仿真,分析发射结宽度、背表面场宽度、隔离层宽度等背面结构参数对HIBC太阳电池短路电流、开路电压、填充因子、转换效率的影响。HIBC电池背面结构优化参数为:背面本征非晶硅薄膜厚度3nm、P型发射结宽度700μm、背表面场宽度100μm、p-a-Si掺杂浓度1×10^19cm^-3;n-a-Si掺杂浓度5×10^19cm^-3。