一种基于AlN的压电MEMS水听器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于AlN的压电MEMS水听器及其制备方法，包括在SOI的器件硅层上的溅射的Mo/AlN/Mo作为下电极层、压电层、上电极层以及器件表面的SiO2保护层，在SOI背部进行深硅刻蚀至SOI的埋氧层来释放振动薄膜。通过优化AlN压电薄膜的厚度和对上电极进行图形化以获得最大的输出。本发明压电水听器具有体积小、线性度好、灵敏度高、可批量制造的优点。