公开/公告号CN111774057A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-16
原文格式PDF
申请/专利权人 辽宁大学;
申请/专利号CN202010625101.3
申请日2020-07-02
分类号B01J23/745(20060101);B01J35/06(20060101);C25B11/06(20060101);C25B1/04(20060101);
代理机构21207 沈阳杰克知识产权代理有限公司;
代理人金春华
地址 110000 辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号
入库时间 2023-06-19 08:34:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-14
授权
发明专利权授予
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 高性能SiGe异质结双极晶体管,内置于薄膜硅式绝缘体基板上,用于射频应用
机译: 高性能SiGe异质结双极晶体管,构建在绝缘体上薄膜硅基板上,用于射频应用