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应用于高速ADC前端的CMOS输入信号缓冲器

摘要

本发明属于集成电路技术领域,具体为一种应用于高速ADC前端的CMOS输入信号缓冲器。本发明电路结构包括两路差分源跟随结构的输入缓冲器、共模反馈电路模块以及偏置电路模块。本发明可确保源跟随器有稳定的共模输出;避免深亚微米CMOS工艺下的沟长调制效应;N型晶体管采用深N阱器件以消除衬偏调置效应。本发明还使用输出阻抗较大的共源共栅电流源为输入晶体管提供偏置电流以缓解由于输入信号变化导致的输出信号非线性。该缓冲器用于ADC电路中可以起到改善线性度,隔离输入信号和后级电路的作用,即便在较高频率的输入信号时也有很好的线性度,特别适合用在高速ADC的前端缓冲电路中。

著录项

  • 公开/公告号CN111756366A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN202010576619.2

  • 发明设计人 马顺利;魏继鹏;李满鑫;任俊彦;

    申请日2020-06-22

  • 分类号H03K19/0185(20060101);H03M1/12(20060101);

  • 代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞;陆尤

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2023-06-19 08:30:12

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