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胡远冰;
电子科技大学 微电子与固体电子学院 四川 成都 610054;
缓冲器; 沟道调制效应; 衬底偏置效应; 线性度;
机译:超高速低压CMOS CML缓冲器和锁存器的设计
机译:具有高度线性输入缓冲器和40nm CMOS中的高度线性输入缓冲器和功率有效电源电压域布置的14位500 MS / S的流水线ADC
机译:简单的噪声模型和低噪声数据输出缓冲器,用于超高速存储器
机译:用于65 nm CMOS的10位50 MS / s SAR ADC的参考电压缓冲器的设计
机译:超高速时间交错模数转换器(ADC)的设计技术
机译:对替代缓冲器的机械设计用于pH依赖性药物递送系统的溶出试验
机译:超高速低压CmOs CmL缓冲器和锁存器的设计
机译:一种用于研究超高速撞击现象的超高速摄影系统
机译:具有大输入阻抗的ADC高动态范围开关电容ADC,用于容忍大输入信号电平下失真和噪声增加的应用
机译:一种用于产生和改善包含它们的电路的设计的方法,以及针对电子设备高频电路分析仪的用于高频输入信号的校准及其响应测量方法的方法。
机译:在ADC辅助时间数字转换器(TDC)中校准到逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC)的输入信号的系统和方法
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