公开/公告号CN111758154A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;
申请/专利号CN201980015406.8
发明设计人 S·梅耶;M·H·恩泽伯格海姆;R·波尔特;
申请日2019-03-27
分类号H01L21/46(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人袁策
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2023-06-19 08:28:36
机译: 干法蚀刻工艺落在金属层上方的金属氧化物蚀刻停止层上并由此形成结构
机译: 在金属层和结构上形成的金属氧化物蚀刻停止层上的干蚀刻工艺着陆
机译: 半导体器件的制造方法,涉及在结构上沉积金属氧化物材料,对沉积的金属氧化物材料进行退火,以及使用蚀刻停止层作为蚀刻停止层来通过另一结构进行蚀刻形成。