高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，该器件包括层位于衬底上的AlGaN层，AlGaN层由AlGaN势垒层和分布于其两侧的p掺杂漂移区域和n掺杂漂移区域组成，钝化层位于源极和漏极之间，凹槽自钝化层延伸至势垒层中，填充凹槽的p‑GaN区域，位于p‑GaN区域上的栅极和与栅极接触的场板。在势垒层的两侧形成不同梯度的n/p掺杂层，抑制源‑漏方向的电流拥挤，同时栅极下方连接p‑GaN，其上方与场板接触，控制栅极下方的电荷拥挤，使二维电子气沟道电子运输更加平滑，保证器件高电流密度和高电子迁移率的情况下，实现击穿电压的可调控提升，降低导通电阻，改善器件功率特性和可靠性。