一种具有源端肖特基接触的超结MOSFET

摘要

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有源端肖特基接触的超结MOSFET。本发明在P型基区表面引入肖特基接触，因此形成一个与体PN结二极管反串联的肖特基二极管。本发明器件的栅极为分离栅，分为两个不接触的部分，一部分为真实栅引出作为器件栅极，另一部分为虚拟栅与器件源极短接。在反向导通时，由于肖特基二极管处于反偏状态，因此体PN结二极管的导通被极大地抑制了。随着反向电压的升高，器件真实栅与虚拟栅下都形成电子沟道，从而使反向电流以电子电流形式流走，从而极大地减少了漂移区内空穴少子的数量。本发明的有益成果：反向导通时注入的电荷降低显著，从而反向恢复过程中的反向恢复电荷极大地降低，器件反向恢复特性得以改善。