一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于量子阱混杂有源区的半导体激光器，包括：N面电极、GaAs衬底、GaInP缓冲层、AlInP下限制层、AlGaInP下波导层、量子阱混杂有源区、AlGaInP上波导层、AlInP上限制层、介质薄膜、GaInP势垒层、GaAs欧姆接触层、P面电极，量子阱混杂有源区包括GaInP量子阱和AlGaInP量子垒。本发明通过对整个激光器材料结构的有源区进行量子阱混杂，在保证有源区应变变化较小的前提下实现对有源区能带结构的调整，将激光器输出波长蓝移变短，是一种利用GaInP材料实现短波长红光、黄光、橙光、绿光激光器的新结构，该激光器具有输出功率和光电转换效率高，可靠性好的特点。