基于快速热退火量子阱无序技术的新型半导体激光器

摘要

本文首先研究了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱材料在不同快速热退火（ＲＴＡ）条件下的量子阱无序，然后利用该技术研制了两种具有新颖结构的半导体激光器．一种是克服端面损伤的有窗口结构的半导体激光器，实验测得最大输出光功率比无窗口结构器件平均增加约１８％．另一种是利用了无序化量子阱材料的折射率变化、具有简单横模限制结构的半导体激光器，获得了４倍阈值下仍保持基模工作的良好结果．