公开/公告号CN108767019A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-06
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201810496686.6
申请日2018-05-22
分类号H01L29/872(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/20(20060101);H01L29/417(20060101);H01L21/329(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王海栋
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 07:04:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/872 申请日:20180522
实质审查的生效
2018-11-06
公开
公开
机译: p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
机译: 不包含AlGaN电子阻挡层的氮化镓基发光二极管为p型GaN,且薄
机译: p型ZnO基半导体层,ZnO基半导体层,p型ZnO基半导体层制造方法和ZnO基半导体层制造方法