公开/公告号CN108711553A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-26
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201810494826.6
申请日2018-05-22
分类号H01L21/329(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/20(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/872(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王海栋
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 06:58:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/329 申请日:20180522
实质审查的生效
2018-10-26
公开
公开
机译: 外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译: 用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译: 形成GaN基氮化物层以减少蓝宝石基质与GaN基氮化物层之间晶格不匹配引起的结晶原始颗粒的方法