基于二维材料可调控PN结的准非易失性存储器及其制备方法

摘要

本发明属于微纳电子技术领域，具体为基于二维材料可调控PN结的准非易失性存储器及其制备方法。其包括：在绝缘衬底上的一层二维材料作为电荷俘获层，在俘获层上面转移的另外两类二维材料，分别作为PN结的N区和闪存的隧穿层，在顶部堆叠的一类二维材料，作为PN结的P区和闪存的沟道层。本发明通过能带设计使得器件能在纳秒级别进行写入以及可控的电荷保持时间；通过施加栅压控制PN结的开启以及关闭，使得器件在PN结开启时能够进行超快写入；通过改变构成PN结两种材料的厚度和类型以及PN结面积与绝缘层面积比值，可以得到一类保持时间可调控的超快准非易失性新型存储器件。本发明制备工艺简单，通过CVD生长的材料可以大规模制备。