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公开/公告号CN108646160A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN201810314999.5
发明设计人 李天信;谢天;夏辉;童中英;陆卫;
申请日2018-04-10
分类号G01R31/26(20140101);G01Q60/46(20100101);
代理机构31311 上海沪慧律师事务所;
代理人李秀兰
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2023-06-19 06:43:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-06
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20180410
实质审查的生效
2018-10-12
公开
机译: 半导体器件中少数载流子扩散长度和少数载流子寿命的无损测量方法
机译:薄膜硅太阳能电池透明发射极中的少数载流子寿命和带隙变窄模型的新系数
机译:高场诱导的热载波温度带隙变窄和散装半导体中的载流子倍增
机译:使用反向恢复瞬态方法测量纳米晶硅器件中少数载流子的寿命。
机译:时间分辨太赫兹光谱法和Hall Van der Pauw方法的直接比较用于测量体半导体中的载流子电导率和迁移率
机译:用于测量直接带隙半导体中的少数载流子寿命的方法和装置