基于光致发光谱的窄禁带半导体材料能级研究

摘要

材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数.红外调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪是一种无损的有效检测技术.利用该技术对不同的窄禁带半导体材料进行了检测,然后用线型拟合光谱揭示了不同能级间的电子跃迁,并对结果进行了分析.结果 表明,红外调制PL光谱是一种有效的材料能带和缺陷能级研究方法.