垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法

摘要

本发明是关于一种垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件，包括多个垂直超结双扩散金属氧化物半导体单元，所述垂直超结双扩散金属氧化物半导体单元包括：衬底；第一型外延层，形成于所述衬底的一侧；第二型外延层，形成于所述第一型外延层中，且所述第二型外延层的宽度朝远离所述衬底的方向逐渐增大。通过本发明的技术方案，本发明通过将P型外延层的宽度设置为朝远离衬底的方向逐渐增大，可以降低Qp/Qn的变化对击穿电压的影响，提高半导体器件的电学性能。并且在相同击穿电压下，Qp/Qn可以更大的范围内变化，因此对于制作工艺的要求就相对简单，易于降低制作成本。