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公开/公告号CN108475663A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201680076628.7
发明设计人 杨海宁;陈向东;
申请日2016-12-28
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 06:20:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8234 申请日:20161228
实质审查的生效
2018-08-31
公开
机译: 具有更宽的场栅极以降低栅极电阻的半导体器件
机译:钨双多晶硅栅极存储器件中p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极界面电阻对绝缘氮化硼形成的依赖性
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机译:使用20nm栅极长度的45nm节点UTSOI晶体管的自对准COMOS器件在高性能CMOS器件中降低高性能CMOS器件源/漏极串联电阻的新方法
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