机译:通过在其HfTiO栅极电介质中引入氮,改善了siC金属氧化物半导体器件的高场可靠性
机译:通过将氮掺入HfTiO栅极电介质中来提高SiC金属氧化物半导体器件的高场可靠性
机译:宽带隙高k Y_2O_3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:界面氮对NO生长的SiO_2 / 6H-SiC金属氧化物半导体器件的高场可靠性的作用:X射线光电子能谱研究
机译:通过掺入氮来减少高度可靠的4H-SiC MIS器件中AI_2O_3 / SiO_2堆叠栅极电介质中的电荷俘获位点
机译:高场高温SiC器件的建模和仿真。
机译:后栅极介电处理对超临界流体技术对锗基金属氧化物半导体器件的影响
机译:宽带隙高k Y2 O3作为钝化中间层,用于增强具有高k HfTiO栅极电介质的n-Ge金属氧化物半导体电容器的电性能和高场可靠性
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。