法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20180418
实质审查的生效
2018-08-24
公开
公开
机译: 在栅极绝缘层上形成无空隙的高质量硅锗薄膜的半导体器件及其制造方法
机译: 通过将绝缘体上硅形成层与含锗层间扩散相结合的方法,在绝缘层上制造基本上弛豫的高质量SiGe晶体层
机译: 一种制造半导体器件的方法,以控制因绝缘层上,下电极之间绝缘层和上桥之间的绝缘层和上桥之间的绝缘过程中上电极的丢失而引起的金属聚合物的生成