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阮育娇;
厦门市计量检定测试院;
键合技术; GOI材料; 表征; 测试;
机译:等离子体氧化GOI减薄法评估超薄型绝缘体上锗锗MOSFET的迁移率降低因素并提高性能
机译:锗凝结过程中绝缘体上锗(GOI)层中晶体缺陷的产生
机译:绝缘层上的超薄绝缘层上硅的轻元素杂质通过电子辐照的激活来表征
机译:使用异质外延横向过生长在硅上局部生长的绝缘体上的锗(GOI)结构
机译:低能电子显微镜和扫描隧道显微镜研究锗在锗(111)和锗(110)上的生长以及锗(111),锗(110)和锗(001)上的银的生长
机译:锗纳米材料生产锗配位化合物的合成与表征
机译:绝缘体锗(GOI)材料和硅基锗波导光电探测器的研究
机译:二甲基汞,四甲基硅烷和四甲基锗的氟化。聚四氟甲基硅烷,聚四氟甲基锗,双(三氟甲基)汞和四(三氟甲基)锗的合成和表征。
机译:绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法
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