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公开/公告号CN108417629A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 广东省半导体产业技术研究院;
申请/专利号CN201810443074.0
发明设计人 卢星;任远;刘晓燕;陈志涛;赵维;龚政;黎子兰;
申请日2018-05-10
分类号
代理机构广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙);
代理人黄为
地址 510000 广东省广州市天河区长兴路363号LED院
入库时间 2023-06-19 06:13:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20180510
实质审查的生效
2018-08-17
公开
机译: 在汽车应用中用于测量直流-直流转换器的负载电流的电路具有两个功率晶体管,其中一个晶体管的势垒层表面小于另一个晶体管的势垒层表面
机译: 具有氧化镁隧穿势垒层和具有插入层的自由层的隧穿磁阻(TMR)器件
机译: 具有氧化镁隧穿势垒层和具有插入层的自由层的隧穿磁阻(tmr)器件
机译:具有部分背势垒层的高击穿电压GaN绝缘体上异质结场效应晶体管
机译:具有多种势垒层材料的高k InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:具有Wsi_n插入层的Co / n-Si结的肖特基势垒低且热稳定性高
机译:低压有机薄膜晶体管(OTFT),具有溶液处理的高k介电层和界面工程。
机译:具有CsPbBr3和ZnO量子点复合双有源层的新型光电晶体管器件
机译:具有隧道势垒的金属绝缘子 - 金属单电子晶体管由原子层沉积制备
机译:具有插入的薄alas势垒的调制掺杂alGaas / Gaas / alGaas量子阱中电子迁移率的大幅增加。