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李忠辉; 董逊;
中国电子学会;
2DEG; AlGaN; GaN异质结; MOCVD; 金属有机物化学气相沉积; 外延生长;
机译:薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构电场效应晶体管的小信号和30GHz功率特性-减薄AlGaN势垒层的影响
机译:用不同GaN沟道层厚度对增强型AlGaN / GaN / AlGaN / AlGan双异质结构HEMT的影响
机译:扇区结构缺陷在异质结和GaN和的AlGaN / GaN,外延层的光致发光性质生长在蓝宝石
机译:AlGaN背势垒层厚度对AlGaN / GaN HEMT的动态铁特性的影响
机译:AlGaN / GaN异质结场效应晶体管的性能和可靠性建模。
机译:双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究
机译:Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结高电子迁移率晶体管中的介电和势垒厚度波动散射
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:异质结双极晶体管制造。处理特别是在发射极和基极之间具有势垒-通过从集电极层上的基极层通过势垒材料层中的窗口横向生长来形成外延发射极层
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
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