一种气体团簇离子束修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法

摘要

本发明提供了一种气体团簇离子束修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法：步骤一：提供底电极基底，并在基底上沉积磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层；步骤二：图形化定义磁性隧道结图案，刻蚀磁性隧道结；步骤三：气体团簇离子束对刻蚀之后的磁性隧道结侧壁进行修剪以除去侧壁损伤/沉积层；步骤四：沉积电介质，化学抛光磨平电介质直到硬掩模的顶部。由于气体团簇离子束的横向溅射行为，团簇或者原子能够到达被图案化的磁性隧道结的每个角落，能够有效的去除覆盖在侧壁的损伤和再次沉积层，同时，由于每个原子的能量非常低，团簇气体原子不会带来新的损伤，非常有利于磁性随机存储器磁学、电学性能的提升和良率的改善。