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单阈值CMOS器件六管SRAM单元上电定值输出方法

摘要

本发明涉及单阈值CMOS器件六管SRAM单元上电定值输出方法,通过调节晶体管参数来确定SRAM单元上电后的初值,确保电路的状态的稳定性,增强电路的可靠性的设计。本发明可以实现CMOS器件六管结构的SRAM单元伴随电源上电而确定固定初始态的作用。实现带有该SRAM单元的大规模集成电路内部线网建立明确的电位,提升器件的可靠性、稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN108154893A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201711362404.5

  • 发明设计人 李瑞;

    申请日2017-12-18

  • 分类号G11C5/14(20060101);G11C11/40(20060101);

  • 代理机构21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司;

  • 代理人王倩

  • 地址 110032 辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号

  • 入库时间 2023-06-19 05:34:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C5/14 申请日:20171218

    实质审查的生效

  • 2018-06-12

    公开

    公开

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