一种GaN基垂直结构LED器件

摘要

本发明公开了一种GaN基垂直结构LED器件，从上到下依次包括N电极、N型GaN层、GaN多量子阱有源层、P型GaN层、P电极和金属衬底；所述的金属衬底是从P电极到外依次由张应力金属层和压应力金属层交替电镀固定的多层结构。本发明多种金属合金更有助于调节垂直结构LED器件与衬底支撑度；还改善了电镀金属与GaN薄膜连接强度，改善了垂直结构LED器件的老化特性。