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符佳佳; 曹海城; 赵丽霞; 王军喜; 李晋闽;
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京100083;
中功率LED; 封装材料; 老化行为;
机译:不同封装类型的GaN基垂直发光二极管的器件特性和热分析
机译:基于物理热模型的GaN基外延材料在不同衬底上的热行为分析
机译:N,N-双(3-甲基苯基)-N,N-二苯基联苯胺(TPD)和N,N-Di-[(1-萘基)-N,N-二苯基] -1,1-联苯的效率和老化比较基于-4,4-二胺(NPD)的OLED器件
机译:封装有不同荧光粉的GaN基LED的降解行为
机译:电子封装中不同材料之间界面断裂参数的组合实验和分析方法。
机译:具有不同铟含量和不同阱宽度的InGaN / GaN多量子阱基LED的电致发光特性
机译:用作OLED灯泡器件的封装方法用作OLED器件的封装方法
机译:Kams(U)saFKEG 3940a封装中软木和TIsaF材料老化评估
机译:基于GaN的LED器件的电极和使用相同的GaN基的LED器件
机译:GaN LED器件的制造方法和由其制造的GaN LED器件
机译:基于柔性GaN无机材料的光电子学GaN LED器件
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