机译:不同封装类型的GaN基垂直发光二极管的器件特性和热分析
Kyung Hee Univ, Dept Elect & Radio Engn, 1732 Deogyeong Daero, Yongin 17104, Gyeonggi Do, South Korea;
KANC, 109 Gwanggyo Ro, Suwon 16229, Gyeonggi Do, South Korea;
Kyung Hee Univ, Dept Elect & Radio Engn, 1732 Deogyeong Daero, Yongin 17104, Gyeonggi Do, South Korea;
Kyung Hee Univ, Dept Elect & Radio Engn, 1732 Deogyeong Daero, Yongin 17104, Gyeonggi Do, South Korea;
Light-emitting diodes; Packages; Junction temperature; Thermal transient tester; Finite element method;
机译:GaN基发光二极管封装中分层的热力学分析
机译:银引发的活化可改善GaN基垂直发光二极管的电特性
机译:厚度和温度对用于垂直几何GaN基发光二极管的GaN层上沉积的Ag膜的热稳定性的依赖性
机译:高反射率和热稳定性Cr基反射器和GaN基倒装芯片发光二极管的n型欧姆接触
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:通过局部表面等离子体激元提高GaN基垂直型发光二极管的外部量子效率
机译:通过局部表面等离子体增强了GaN基垂直发光二极管的外部量子效率