GaN基LED器件电极结构及LED器件

摘要

本申请实施例提供了一种GaN基LED器件电极结构及LED器件。该GaN基LED器件电极结构，包括：一衬底；一氮化物异质结构层，其设置于所述衬底上；一自扩散接触电极结构层，其设置于所述氮化物异质结构层上；所述自扩散接触电极结构层为预设金属元素的氮化物材料形成，所述自扩散接触电极结构层中的预设金属元素的浓度大于预设值；一透明电极结构层，其设置于所述自扩散接触电极结构层上；一金属电极结构层，其设置于所述透明电极结构层上。本申请可以利用高浓度的金属元素降低p型氮化物的功函数，最终实现降低LED的p型电极的接触电阻，从而提高LED器件的光输出功率和可靠性。