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铌酸锂薄膜多功能集成光学器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种铌酸锂薄膜多功能集成光学器件,包括:基底材料、下层电极、下缓冲层、铌酸锂薄膜、波导耦合器、Y分支波导、上缓冲层、波导耦合器吸收层电极和Y分支波导调制器电极。本发明所述铌酸锂薄膜多功能集成光学器件可实现3dB波导耦合器与Y波导调制器的单片集成,有利于该集成芯片的小型化,可实现光纤陀螺用集成光学器件集成度的提升、光纤陀螺仪体积的缩小以及光纤陀螺系统可靠性的提升。本申请还公开了一种制造上述铌酸锂薄膜多功能集成光学器件的制造方法。

著录项

  • 公开/公告号CN107957630A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津领芯科技发展有限公司;

    申请/专利号CN201610907886.7

  • 发明设计人 李萍;史云玲;

    申请日2016-10-18

  • 分类号

  • 代理机构天津市三利专利商标代理有限公司;

  • 代理人张义

  • 地址 300000 天津市北辰区北辰经济技术开发区双辰中路5号(办公楼702-016室)

  • 入库时间 2023-06-19 05:07:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-04

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G02F1/035 登记生效日:20181115 变更前: 变更后: 申请日:20161018

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/035 申请日:20161018

    实质审查的生效

  • 2018-04-24

    公开

    公开

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