一种激光二极管与背光探测器集成的制备方法及集成芯片

摘要

本公开涉及一种二极管激光器与背光探测器集成的方法，该方法包括：形成脊的步骤，形成隔离区的步骤，SiN填充隔离区的步骤，蒸发P、N型电极的步骤，合金的步骤，镀膜的步骤。本公开还涉及上述制备方法制得二极管激光器与背光探测器(LD‑MPD)集成的芯片。本发明制备的芯片具有光功率高，探测功率高，隔离效果好，耦合效率高，暗电流小的特点。